Silicium mangan nitrid materiale er en ny type højtydende funktionelt materiale. Dette materiale har egenskaberne høj hårdhed, høj styrke, høj slidstyrke, høj oxidationsmodstand og fremragende ydeevne ved høj temperatur. Det er meget udbredt inden for elektronik, luftfart, rumfart, medicinsk, kemisk og andre områder.
Der er tre hovedmetoder til fremstilling af siliciummangannitridmaterialer: varmpresning, kemisk dampaflejring og selvantændelsessyntese.
Blandt dem har siliciummangannitridmaterialet fremstillet ved varmpresningsmetode fordelene ved høj volumendensitet og høj hårdhed, men omkostningerne er relativt høje; siliciummangannitridmaterialet fremstillet ved kemisk dampaflejringsmetode har fordelene ved høj renhed, høj ensartethed, stort områdeforberedelse osv. Omkostningerne er lave; siliciummangannitridmaterialet fremstillet ved selvantændelsessyntesemetoden har fordelene ved enkel fremstilling og lave omkostninger, men dets renhed og ensartethed skal forbedres.
Siliciummangannitridmaterialer er meget udbredt i det elektroniske felt, såsom mikroelektroniske enheder, optoelektroniske enheder, effekthalvlederenheder osv. Med hensyn til mikroelektroniske enheder kan siliciummangannitridmaterialer bruges i LED-fremstilling, superkondensatorer, transistorer osv.; med hensyn til optoelektroniske anordninger kan siliciummangannitridmaterialer bruges i solceller, solcelleenergiproduktion, lasere osv.; med hensyn til effekthalvlederenheder kan siliciummangannitridmaterialer bruges til fremstilling af højeffekt elektroniske komponenter, såsom lysemitterende dioder, felteffekttransistorer osv.
Derudover er siliciummangannitridmaterialer også meget udbredt i luftfart, rumfart, medicinsk og kemisk industri. Generelt har siliciummangannitridmateriale fysiske og kemiske egenskaber og brede anvendelsesmuligheder, og det er et meget lovende materiale på vej. I fremtiden, med den løbende forbedring af præparationsteknologi og kontrolteknologi, vil siliciummangannitridmaterialer have et bredere anvendelsesområde.
