siliciumcarbid (SiC) er elektrisk ledende, men dets ledningsevne kan variere afhængigt af dets doping og den specifikke form for SiC. SiC er en halvleder, hvilket betyder, at dens elektriske ledningsevne kan kontrolleres ved at indføre urenheder (doping) i dens krystalstruktur.
Der er forskellige typer SiC-krystaller, såsom n-type og p-type:
N-type SiC: Doping med elementer som fosfor eller nitrogen introducerer ekstra elektroner, hvilket forbedrer dets ledningsevne.
P-type SiC: Doping med elementer som aluminium eller bor kan skabe "huller" (positive ladningsbærere), som også bidrager til elektrisk ledningsevne.
